kSA MOS ThermalScan 薄膜熱應(yīng)力測量系統(tǒng)采用非接觸MOS激光技術(shù)，不但可以對薄膜的應(yīng)力、表面曲率和翹曲進行測量，還可對二維應(yīng)力Mapping成像統(tǒng)計分析，同時測量應(yīng)力、曲率隨溫度變化的關(guān)系。

激光部分和檢測器固定在同一框架上，這種設(shè)計始終保證所有陣列的激光光點始終在同一頻率運動或掃描，從而有效的避免了外界振動對測試結(jié)果的影響，同時大大提高了測試的分辨率，適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析。

     ? 變溫設(shè)計：采用真空和低壓氣體保護，溫度范圍RT-600℃ (多種溫度范圍可選)；

     ? 樣品快速熱處理功能；

     ? 樣品快速冷卻處理功能；

     ? 采用程序化閉環(huán)溫度控制器和陣列鹵素燈加熱器，保證**的溫度均勻性和精度；

     ? 應(yīng)力VS.溫度曲線；

     ? 曲率VS.溫度曲線；

     ? 程序化控制掃描模式：選定區(qū)域、多點線性掃描、全面積掃描；

     ? 成像功能：樣品表面2D曲率成像，定量薄膜應(yīng)力成像分析；

     ? 測量功能：曲率、曲率半徑、應(yīng)力強度、應(yīng)力和翹曲等；

     ? 客戶可定制氣體（氮氣、氬氣和氧氣等）Delivery系統(tǒng)；

     ? 可采用泵入液氮冷卻,*低可達-30℃。

     ? 二維薄膜應(yīng)力和曲率分析；

     ? 均勻的溫度場，可準確spatially-resolved應(yīng)力測量；

     ? 快速熱處理和溫度處理。

     ? 溫度范圍：RT-600℃ (面掃)；RT-1000℃ (線掃)；

     ? 溫度均勻性：當樣品在穩(wěn)定的溫度下測量時，在中心80％的樣品上的溫度優(yōu)于±2℃；

     ? 平均曲率重復(fù)性：小于5×10-5（1/m）（1-sigma）;           

     ? 應(yīng)力測量范圍：1MPa~7.8GPa；

     ? 應(yīng)力測量重復(fù)性：0.32 MPa2；

     ? 真空腔室真空度: 750mTorr（~1mPa）。

型號選擇

玻璃上鍍SiN應(yīng)力測試結(jié)果350°C

玻璃上鍍SiN曲率測試結(jié)果80°C

玻璃上鍍SiN曲率測試結(jié)果350°C

同類設(shè)備
     ? 薄膜應(yīng)力測試儀（kSA MOS 薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng)，薄膜應(yīng)力計）
     ? 薄膜殘余應(yīng)力測試儀
     ? 實時原位薄膜應(yīng)力儀(kSA MOS)

     ? kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester

     ? kSA MOS Film Stress Measurement System

     ? kSA MOS Film Stress Mapping System