kSA BandiT 半導(dǎo)體實(shí)時(shí)溫度測(cè)量系統(tǒng)是一種非接觸、實(shí)時(shí)測(cè)量半導(dǎo)體襯底表面溫度的測(cè)試系統(tǒng)，采用半導(dǎo)體材料吸收邊隨溫度的變化的原理，實(shí)時(shí)測(cè)量晶片/襯底的溫度；并且kSA BandiT 已經(jīng)成功地安裝到眾多的MBE, MOCVD, Sputter, PLD等半導(dǎo)體沉積設(shè)備上，實(shí)現(xiàn)了晶片的溫度實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。

該系統(tǒng)在外延薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中，對(duì)Wafer（及薄膜）表面溫度實(shí)時(shí)、非接觸、非入侵的直接檢測(cè)；采用溫度和半導(dǎo)體材料對(duì)光的吸收邊（禁帶寬度）相關(guān)性原理，即材料的本征特性，使得測(cè)量結(jié)果更為可靠；可裝載到MBE、MOCVD、濺射、蒸發(fā)系統(tǒng)等和熱處理、退火設(shè)備上，進(jìn)行實(shí)時(shí)溫度監(jiān)測(cè)。可選配多晶片溫度測(cè)量軟件功能及掃描功能，以實(shí)現(xiàn)MBE外延薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中多晶片溫度的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)及溫度的二維分布信息。

     ? 溫度測(cè)試范圍：室溫~1200℃（視不同材料而定）

     ? 溫度測(cè)試精度：±2℃

     ? 溫度測(cè)試穩(wěn)定性：±0.2℃

     ? 溫度測(cè)試分辨率：±0.1℃

     ? 溫度測(cè)試掃描速率：30 point/1nm

     ? 實(shí)時(shí)、非接觸、非入侵、直接Wafer溫度監(jiān)測(cè)
     ? 真實(shí)的Wafer表面或薄膜溫度監(jiān)測(cè)
     ? 整合了新的黑體輻射監(jiān)測(cè)技術(shù)

     ? 避免了發(fā)射率變化對(duì)測(cè)量的影響
     ? 無(wú)需沉積設(shè)備Viewport特殊涂層

     ? 測(cè)量波長(zhǎng)范圍可選（例如：可見光波段、近紅外波段等）

     ? 多基片/晶片表面2D溫度Mapping監(jiān)測(cè)（選配）

     ? 沉積速率和薄膜厚度分析（選配）
     ? 表面粗糙度分析功能（選配）