kSA 400 RHEED圖形分析系統(tǒng)，適合各種薄膜沉積系統(tǒng)（如：脈沖激光沉積設(shè)備PLD,濺射系統(tǒng)Sputtering,分子束外延MBE, 金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積MOCVD等）上的RHEED系統(tǒng)。目前第四代系統(tǒng)結(jié)合優(yōu)質(zhì)的硬件和軟件，為客戶(hù)提供豐富的RHEED分析信息。

原理

軟件分析RHEED反射式高能電子衍射，對(duì)來(lái)自樣品薄膜的衍射圖像進(jìn)行采集，并通過(guò)系統(tǒng)自動(dòng)計(jì)算測(cè)量晶格間距、共振長(zhǎng)度和振動(dòng)強(qiáng)度，同時(shí)通過(guò)衍射條紋的強(qiáng)度震蕩曲線(xiàn)檢測(cè)薄膜沉積速率。

分析功能

同時(shí)測(cè)量晶格間距、相干長(zhǎng)度和晶體表面結(jié)構(gòu)演化；薄膜沉積速率和沉積厚度分析；三維衍射圖像分析等。

基本配置

     ? CCD系統(tǒng)：標(biāo)準(zhǔn)型，高分辨型
     ? 光學(xué)系統(tǒng)：RHEED定量分析及成像分析
     ? 標(biāo)準(zhǔn)接口法蘭（可定制）

主要特點(diǎn)和功能

     ? 衍射圖像采集CCD和光學(xué)系統(tǒng)

     ? 實(shí)時(shí)的薄膜生長(zhǎng)速率測(cè)量

     ? 實(shí)時(shí)晶格間距和表面均勻性分析

     ? 貼心的技術(shù)支持

     ? 多個(gè)品牌的電子槍全面控制功能可供選擇

     ? 適用于多種薄膜沉積系統(tǒng)：MBE、 PLD、濺射和電子束蒸發(fā)等

     ? 持續(xù)不斷的軟件系統(tǒng)更新

可選功能

     ? 包含鎖相外延生長(zhǎng)（PLE）

     ? 低能電子衍射（LEED）

     ? 俄歇電子能譜（Auger）

     ? 光電子能譜（XPS）等

實(shí)際應(yīng)用

主要用于安裝在真空薄膜沉積設(shè)備上，在薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中，對(duì)該薄膜材料的多項(xiàng)物理特性進(jìn)行實(shí)時(shí)原位的分析，進(jìn)而進(jìn)一步指導(dǎo)和優(yōu)化薄膜的生長(zhǎng)工藝。