視頻中心 視頻中心 Video Center kSA Emissometer 石墨盤發(fā)射率測量系統(tǒng):采用雙傳感器設(shè)計(jì),可在石墨盤旋轉(zhuǎn)同時(shí)進(jìn)行整個(gè)石墨盤的漫反射率、鏡面反射率及發(fā)射率二維分布Mapping測量。物體的發(fā)射率與物體的表面狀態(tài)(包括物體表面溫度、表面粗糙度、面形以及表面氧化層、涂層、缺陷、殘留物、表面雜質(zhì)等)有關(guān)。所以,通過對(duì)石墨盤各個(gè)點(diǎn)發(fā)射率的測量可以直接反映出石墨盤表面肉眼難以觀測到的表面細(xì)節(jié),同時(shí)基于黑體輻射原理進(jìn)一步評(píng)估石 kSA 400 RHEED圖形分析系統(tǒng):通過對(duì)RHEED入射電子能量的控制,用高分辨、高速CCD直接采集來自樣品對(duì)電子束的衍射圖像,并用專業(yè)軟件系統(tǒng)對(duì)其進(jìn)行圖像處理和數(shù)據(jù)分析, 自動(dòng)計(jì)算測量晶格間距、共振長度和振動(dòng)強(qiáng)度等參數(shù),同時(shí)通過衍射條紋的強(qiáng)度震蕩曲線檢測薄膜沉積速率等信息。 kSA MOS Ultra Scan離線薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng):對(duì)薄膜的應(yīng)力、表面曲率和翹曲進(jìn)行準(zhǔn)確的測量,還可對(duì)二維應(yīng)力Mapping成像統(tǒng)計(jì)分析;同時(shí)準(zhǔn)確測量應(yīng)力、曲率隨溫度變化的關(guān)系。 kSA BandiT 半導(dǎo)體實(shí)時(shí)溫度測量系統(tǒng): 半導(dǎo)體薄膜外延生長過程中非接觸式、實(shí)時(shí)原位Wafer溫度監(jiān)測! 電化學(xué)反應(yīng)可視化共聚焦系統(tǒng)ECCS B320:能夠捕捉充放電過程中亮度的微小變化,同時(shí),能夠?qū)﹃帢O和陽極橫截面中的反應(yīng)分布進(jìn)行定量分析。 電化學(xué)反應(yīng)可視化共聚焦系統(tǒng)ECCS B320:當(dāng)電池以高速率過充時(shí),會(huì)形成枝晶。一旦停止充電,枝晶就會(huì)開始收縮,鋰離子從枝晶中分散出來為陽極充電。 ?陽極:球狀石墨 ?陰極:NCM ?充電速率:4C ?電池:用于橫截面觀察的電池單元 電化學(xué)反應(yīng)可視化共聚焦系統(tǒng)ECCS B320:將活性材料的體積膨脹可視化,并使您能夠測量活性材料的厚度,以便與電池的充電/放電曲線進(jìn)行分析和比較。 ?陽極:Si ?陰極:NCA 電化學(xué)反應(yīng)可視化共聚焦系統(tǒng)ECCS B320:電化學(xué)反應(yīng)可視化共聚焦系統(tǒng) ?工作電極: Graphite : SE = 50 : 50 (wt.%) ?固態(tài)電解質(zhì): Li?S ·P?S? ?輔助電極: Li-In ?充放電倍率: 0.03C 電化學(xué)反應(yīng)可視化共聚焦系統(tǒng)ECCS B320:NMC(鎳錳鈷三元材料)ECCS能夠捕捉到陰極中非常微小的膨脹和收縮,而這些變化通常只表現(xiàn)出輕微的動(dòng)態(tài)特征。 |