南郵孫斌J Phys Chem Lett:空穴傳輸層配體交換中的溶劑工程實(shí)現(xiàn)高性能 PbS 量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池發(fā)表時(shí)間:2025-01-21 10:13 長(zhǎng)期以來(lái),硫化鉛膠體量子點(diǎn)(PbS-CQD)太陽(yáng)能電池的性能一直受限于傳輸層界面缺陷。傳統(tǒng)上,1,2-乙二硫醇(EDT)作為空穴傳輸層(HTL)材料,在PbS-CQD太陽(yáng)能電池的固態(tài)配體交換過(guò)程中扮演著重要角色。然而,由于配體交換過(guò)程中反應(yīng)速率過(guò)快以及EDT與長(zhǎng)鏈油酸之間的鏈長(zhǎng)不匹配問(wèn)題,HTL薄膜中常常產(chǎn)生裂紋缺陷,進(jìn)而影響了電池的整體性能。 為解決這一問(wèn)題,南京郵電大學(xué)的孫斌教授和張磊教授帶領(lǐng)其研究團(tuán)隊(duì),創(chuàng)新性地引入了乙酸乙酯(EA)作為溶劑調(diào)控策略的一部分,將其與乙腈(ACN)混合使用,以減緩配體交換速率。通過(guò)EA的輔助,研究團(tuán)隊(duì)成功制備了裂紋更少、質(zhì)量更高的HTL薄膜,陷阱密度顯著降低,從2.26 × 10^-3降低到1.85 × 10^-3 cm^-3。這一改進(jìn)不僅顯著提高了開(kāi)路電壓(VOC)達(dá)27.5毫伏,還將光電轉(zhuǎn)換效率(PCE)從11.01%提升至12.16%。 此外,與純ACN體系相比,采用EA/ACN體系制備的器件表現(xiàn)出更低的界面電荷轉(zhuǎn)移電阻(從1638 Ω降低至更低值,具體數(shù)值可根據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)填寫(xiě)),這進(jìn)一步證實(shí)了界面電荷轉(zhuǎn)移效率的提高,從而促進(jìn)了PCE的提升。這些性能的提升可以歸因于配體交換速率的減慢和薄膜中裂紋數(shù)量的減少。 綜上所述,通過(guò)將EA引入ACN溶劑中,研究團(tuán)隊(duì)成功優(yōu)化了配體交換過(guò)程,促進(jìn)了固體量子點(diǎn)在致密界面上的均勻分布,從而獲得了裂紋更少、質(zhì)量更高的HTL薄膜。因此,EA輔助的器件在性能上表現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì),包括更低的缺陷密度、更高的開(kāi)路電壓和更高的功率轉(zhuǎn)換效率。這一方法為構(gòu)建高性能PbS膠體量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池提供了一種有效且通用的策略,具有重要的學(xué)術(shù)價(jià)值和實(shí)際應(yīng)用前景。 Solvent Engineering in Ligand Exchange of the Hole Transport Layer Enables High-Performance PbS Quantum Dot Solar Cells
- 產(chǎn)品咨詢及購(gòu)買(mǎi)請(qǐng)聯(lián)系我們 -? |